電路設(shè)計(jì)要求
(1)TOPSwitch-II的反饋電路中需配光電耦合器與輸出電路隔離。設(shè)計(jì)精密開關(guān)電源時(shí),還應(yīng)增加一片TL431型可調(diào)式精密關(guān)聯(lián)穩(wěn)壓器,由它構(gòu)成外部誤差放大器,來(lái)代替取樣電路中的穩(wěn)壓管。精密開關(guān)電源的電壓調(diào)整率Sv、電流調(diào)整率Sl均可達(dá)±0.2%左右,接近于線性集成穩(wěn)壓電源的指標(biāo)。
(2)應(yīng)選用電流傳輸比(CTR)能線性變化的光電耦合器,如PC817A,NEC2501、6N137等型號(hào),不推薦采用4N25、4N35等4N××型普通光耦。后者的線性度差,傳輸模擬信號(hào)時(shí)會(huì)造成失真,影響開關(guān)電源的穩(wěn)壓性能。
(3)高頻變壓器的初級(jí)必須設(shè)置保護(hù)電路,用以吸收漏感引起的尖峰電壓,確保MOSFET不被損壞。這種保護(hù)電路應(yīng)并聯(lián)在初級(jí)上,具體有4種設(shè)計(jì)方案:
①由瞬變電壓抑制二極管(TVS)和超快恢復(fù)二極管(SRD)組成鉗位電路;
②由TVS與硅整流管(VD)構(gòu)成的鉗位電路;
③由阻容元件與SRD構(gòu)成的吸收電路;
④由阻容件與VD構(gòu)成的吸收電路。上述方案中以①的效果最佳,能充分發(fā)揮TVS響應(yīng)速度極快、可承受高能量瞬態(tài)脈沖之優(yōu)點(diǎn)。方案②次之。
(4)使用芯片時(shí)需加合適的散熱器。對(duì)于TO-220封裝,可直接裝在小散板上。對(duì)于DIP-8和SMD-8封裝的可將4個(gè)源極焊在面積為2.3的印制板敷銅箔上代替散熱片。
(5) 為抑制從電網(wǎng)引入的干擾,也防止開關(guān)電源產(chǎn)生的干擾向外部傳輸,需在電源進(jìn)線端增加一級(jí)電磁干擾濾波器(EMI Filter)亦稱電源噪聲濾波器(PNF)。
(6)使用此類芯片時(shí),源極引線要盡量短。為使空載或輕載時(shí)輸出電壓穩(wěn)定,應(yīng)在穩(wěn)壓電源輸出端接一只幾百歐的電阻作為最小負(fù)載,亦可并聯(lián)一只穩(wěn)壓管。
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